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| Artikel-Nr.:
3794E-6875190 Herst.-Nr.:
STB4NK60ZT4 EAN/GTIN:
5059042984965 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 18,8 nC @ 10 V
Serie = MDmesh, SuperMESH
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 70 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 18,8 nC @ 10 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 6875190, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB4NK60ZT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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