| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-6875226 Herst.-Nr.: STE40NC60 EAN/GTIN: 5059042366198 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = ISOTOP Montage-Typ = Schraubmontage Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 460 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 307,5 nC @ 10 V Serie = MDmesh, SuperMESH
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | ISOTOP | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 460 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 307,5 nC @ 10 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 6875226, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STE40NC60, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |