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Infineon HEXFET IRFP4229PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247AC

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Produktinformationen

Infineon HEXFET IRFP4229PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 44 A 310 W, 3-Pin TO-247AC

Artikel-Nr.:
3794E-6886998

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRFP4229PBF

EAN/GTIN:
5059045593997

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 310 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 72 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	44 A
Drain-Source-Spannung max.:	250 V
Gehäusegröße:	TO-247AC
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	46 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	310 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	72 nC @ 10 V
Serie:	HEXFET

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet to-247ac, 6886998, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFP4229PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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