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| Artikel-Nr.: 3794E-7082501 Herst.-Nr.: ZXMN7A11GTA EAN/GTIN: 5059043955346 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3.8 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 3.9 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 7,4 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3.8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3.9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 7,4 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7082501, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN7A11GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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