|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7082589 Herst.-Nr.:
ZXMN6A09GTA EAN/GTIN:
5059043955513 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7.5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 3.9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 24,2 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7.5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 3.9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 24,2 nC @ 5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7082589, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN6A09GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |