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| Artikel-Nr.:
3794E-7082624 Herst.-Nr.:
ZXMP10A18GTA EAN/GTIN:
5059043952888 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 3.9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 26,9 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 3.9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 26,9 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 7082624, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMP10A18GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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