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| Artikel-Nr.:
3794E-7084730 Herst.-Nr.:
IRF530PBF EAN/GTIN:
5059040979697 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 88 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 26 nC @ 10 V
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 88 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 26 nC @ 10 V | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, feldeffekttransistor, mosfet to-220ab, 7084730, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF530PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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