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| Artikel-Nr.:
3794E-7103386 Herst.-Nr.:
SI7309DN-T1-E3 EAN/GTIN:
5059040975866 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3.9 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 115 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3.9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 115 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14,5 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7103386, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7309DNT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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