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| Artikel-Nr.:
3794E-7115360 Herst.-Nr.:
IXFK26N120P EAN/GTIN:
5059041997911 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 460 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 960 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 26.16mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 26 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 460 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 6.5V | Verlustleistung max.: | 960 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 26.16mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 7115360, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFK26N120P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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