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| Artikel-Nr.:
3794E-7115382 Herst.-Nr.:
IXFK27N80Q EAN/GTIN:
5059041982979 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 27 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-264AA
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HiperFET, Q-Class
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 27 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-264AA | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 320 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Verlustleistung max.: | 500 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HiperFET, Q-Class |
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| Weitere Suchbegriffe: 7115382, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFK27N80Q, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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