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| Artikel-Nr.:
3794E-7141060 Herst.-Nr.:
STD15NF10T4 EAN/GTIN:
5059042004991 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 30 nC @ 10 V
Serie = STripFET
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 80 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 70 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 30 nC @ 10 V | Serie: | STripFET |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7141060, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD15NF10T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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