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| Artikel-Nr.:
3794E-7146796 Herst.-Nr.:
STQ1HNK60R-AP EAN/GTIN:
5059042027730 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 400 mA
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.25V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 4.95mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 400 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.25V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 4.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, 7146796, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STQ1HNK60RAP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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