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| Artikel-Nr.:
3794E-7394857 Herst.-Nr.:
FDMS86104 EAN/GTIN:
5059042810080 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 73 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11,7 nC @ 10 V
Höhe = 1.05mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 39 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 73 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 11,7 nC @ 10 V | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 7394857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86104, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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