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| Artikel-Nr.:
3794E-7514105 Herst.-Nr.:
DMG4466SSS-13 EAN/GTIN:
5059045545347 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 1,42 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 10,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 1,42 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 10,5 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 7514105, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG4466SSS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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