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Infineon CoolMOS CP IPW60R099CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Infineon CoolMOS CP IPW60R099CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247

Artikel-Nr.:
3794E-7533065

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPW60R099CPFKSA1

EAN/GTIN:
5059045545910

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.21mm
Serie = CoolMOS CP

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	31 A
Drain-Source-Spannung max.:	650 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	99 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:	2.5V
Verlustleistung max.:	255 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Breite:	5.21mm
Serie:	CoolMOS CP

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Weitere Suchbegriffe: 7533065, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R099CPFKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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