|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7545434 Herst.-Nr.:
IPB107N20N3GATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 88 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 65 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 88 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 65 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7545434, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB107N20N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |