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| Artikel-Nr.:
3794E-7598967 Herst.-Nr.:
FDB2614 EAN/GTIN:
5059042172119 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 76 nC @ 10 V
Serie = PowerTrench
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 62 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 27 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 260 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 76 nC @ 10 V | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7598967, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB2614, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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