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| Artikel-Nr.:
3794E-7598973 Herst.-Nr.:
FDB33N25TM EAN/GTIN:
5059042923568 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 94 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 235 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 36,8 nC @ 10 V
Höhe = 4.83mm
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann. UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 94 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 235 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 36,8 nC @ 10 V | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7598973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB33N25TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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