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onsemi UniFET FDB44N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 44 A 307 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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onsemi UniFET FDB44N25TM N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 44 A 307 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     3794E-7598989
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDB44N25TM
EAN/GTIN:
     5059042873474
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 307 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = UniFET

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann. UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
44 A
Drain-Source-Spannung max.:
250 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
69 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
307 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
UniFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7598989, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB44N25TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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