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| Artikel-Nr.:
3794E-7599071 Herst.-Nr.:
FDD3860 EAN/GTIN:
5059042911749 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 69 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 64 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 69 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 7599071, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDD3860, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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