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| Artikel-Nr.:
3794E-7599686 Herst.-Nr.:
FDS86106 EAN/GTIN:
5059042144789 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 177 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5mm
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 177 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5mm | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: 7599686, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS86106, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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