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| Artikel-Nr.:
3794E-7603114 Herst.-Nr.:
2SK1829(TE85L,F) EAN/GTIN:
5059045844839 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = USM
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 100 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 2SK
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | USM | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 100 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 2SK |
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| Weitere Suchbegriffe: 7603114, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, 2SK1829(TE85L,F), Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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