Produktinformationen: | | |
|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7604432 Herst.-Nr.:
IRLML2246TRPBF EAN/GTIN:
5059043414287 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 236 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2,9 nC @ 4,5 V
Höhe = 1.02mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 236 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 2,9 nC @ 4,5 V | Höhe: | 1.02mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: diode infineon, leistungs-mosfet, diode sot-23, 7604432, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML2246TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |