| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-7609828 Herst.-Nr.: STB160N75F3 EAN/GTIN: 5059042878356 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 330 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Transistor-Werkstoff = Si Serie = STripFET
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 330 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | STripFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7609828, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB160N75F3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |