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onsemi BUZ11_NR4941 N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 30 A 75 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktinformationen

onsemi BUZ11_NR4941 N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 30 A 75 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
3794E-7613515

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
BUZ11-NR4941

EAN/GTIN:
5060641247382

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	30 A
Drain-Source-Spannung max.:	50 V
Gehäusegröße:	TO-220AB
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	40 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	2.1V
Verlustleistung max.:	75 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 7613515, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BUZ11NR4941, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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