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Vishay E Series SiHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Vishay E Series SiHG47N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247AC
Artikel-Nr.:
     3794E-7689332
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiHG47N60E-GE3
EAN/GTIN:
     5059040901605
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 357 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = E Series

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
47 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
64 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
357 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
E Series
Weitere Suchbegriffe: mosfet to-247ac, 7689332, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHG47N60EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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