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| Artikel-Nr.:
3794E-7729133 Herst.-Nr.:
FDD86540 EAN/GTIN:
5059042222333 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A; 136 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 127 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A; 136 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 127 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 7729133, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDD86540, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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