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| Artikel-Nr.:
3794E-7804755 Herst.-Nr.:
NTS2101PT1G EAN/GTIN:
5059042793291 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 8 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 330 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 8V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 8 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 210 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 330 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7804755, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTS2101PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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