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| Artikel-Nr.:
3794E-7804786 Herst.-Nr.:
NTTFS5116PLTAG EAN/GTIN:
5059042253559 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 72 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 40 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 0.75mm
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 72 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 40 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 7804786, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTTFS5116PLTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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