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| Artikel-Nr.: 3794E-7832949 Herst.-Nr.: STB45N65M5 EAN/GTIN: 5059042386653 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 710 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 210 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 4.6mm
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 710 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 78 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 210 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7832949, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB45N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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