|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7863580 Herst.-Nr.:
STB6N60M2 EAN/GTIN:
5059042267983 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = MDmesh M2
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler). Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | MDmesh M2 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 7863580, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB6N60M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |