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| Artikel-Nr.:
3794E-7879222 Herst.-Nr.:
SI2333DDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040658561 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 19 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 19 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, mosfet sot-23, 7879222, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2333DDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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