|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7879248 Herst.-Nr.:
SI7615ADN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040679412 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 52 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 7879248, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7615ADNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |