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| Artikel-Nr.:
3794E-7879288 Herst.-Nr.:
SIA447DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040842397 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = PowerPAK SC-70
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 71 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 19 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SC-70 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 71 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 19 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 7879288, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA447DJT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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