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| Artikel-Nr.:
3794E-7879342 Herst.-Nr.:
SIR401DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040677159 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 7,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 39 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 39 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7879342, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR401DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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