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| Artikel-Nr.:
3794E-7879468 Herst.-Nr.:
SQ3460EV-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040801110 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 53 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 3,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = SQ Rugged
AEC-Q101. N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged. AEC-Q101-qualifiziert Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Innovative platzsparende Gehäuseoptionen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 53 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 3,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | SQ Rugged |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 7879468, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ3460EVT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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