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| Artikel-Nr.:
3794E-7879496 Herst.-Nr.:
SQJ412EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040679450 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 32 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Automobilstandard = AEC-Q101
AEC-Q101. N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged. AEC-Q101-qualifiziert Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Innovative platzsparende Gehäuseoptionen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 32 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8L | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 5mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 7879496, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ412EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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