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| Artikel-Nr.:
3794E-7879525 Herst.-Nr.:
SQS462EN-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040679399 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 33 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Automobilstandard = AEC-Q101
AEC-Q101. N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged. AEC-Q101-qualifiziert Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Innovative platzsparende Gehäuseoptionen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 135 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 33 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 7879525, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS462ENT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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