|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7919291 Herst.-Nr.:
STD45N10F7 EAN/GTIN:
5059042477221 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.4mm
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.2mm | Höhe: | 2.4mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7919291, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD45N10F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |