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| Artikel-Nr.:
3794E-7920875 Herst.-Nr.:
BSP126,115 EAN/GTIN:
5059043334998 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 375 mA
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.7mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 375 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7920875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSP126,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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