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STMicroelectronics STripFET STD26P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Produktinformationen

STMicroelectronics STripFET STD26P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Artikel-Nr.:
3794E-7925717

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STD26P3LLH6

EAN/GTIN:
5059042502169

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
mosfet

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 40 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 2.4mm

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	12 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	DPAK (TO-252)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	45 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	40 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:	+175 °C
Höhe:	2.4mm

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Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7925717, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD26P3LLH6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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