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| Artikel-Nr.:
3794E-7925779 Herst.-Nr.:
STGFW30V60DF EAN/GTIN:
5059042397826 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 58 W
Gehäusegröße = TO-3PF
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.7 x 5.7 x 26.7mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 60 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 58 W | Gehäusegröße: | TO-3PF | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 7925779, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGFW30V60DF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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