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| Artikel-Nr.:
3794E-7925795 Herst.-Nr.:
STGW40H65DFB EAN/GTIN:
5059042397260 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 283 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 283 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 7925795, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW40H65DFB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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