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| Artikel-Nr.: 3794E-7925802 Herst.-Nr.: STGW60H65DFB EAN/GTIN: 5059042397512 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 15.75 x 5.15 x 20.15mm Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 375 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 7925802, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW60H65DFB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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