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Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-7965064
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     GT50JR22
EAN/GTIN:
     5059041140096
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

IGBTs, diskret, Toshiba
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±25V
Verlustleistung max.:
230 W
Gehäusegröße:
TO-3P
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 7965064, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT50JR22, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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