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Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen

Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
3794E-7965106

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
TK58E06N1

EAN/GTIN:
5059041001830

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 105 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm

MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	105 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	5,4 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Verlustleistung max.:	110 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Breite:	4.45mm
Höhe:	15.1mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 7965106, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK58E06N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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