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| Artikel-Nr.:
3794E-7965115 Herst.-Nr.:
TPC8125 EAN/GTIN:
5059041369008 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 17 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 1,9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 64 nC @ 10 V
Höhe = 1.52mm
MOSFET-P-Kanal, TPC-Serie, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 64 nC @ 10 V | Höhe: | 1.52mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 7965115, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPC8125, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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