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| Artikel-Nr.:
3794E-8020850 Herst.-Nr.:
ECH8661-TL-H EAN/GTIN:
5059042567038 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A; 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = ECH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ, 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.6V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 11,8 nC @ 10 V
Höhe = 0.9mm
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor. Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 5,5 A; 7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | ECH | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 24 mΩ, 39 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.6V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 11,8 nC @ 10 V | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8020850, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, ECH8661TLH, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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