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| Artikel-Nr.:
3794E-8024344 Herst.-Nr.:
IXFB110N60P3 EAN/GTIN:
5059041150026 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,89 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PLUS264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 56 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,89 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HiperFET, Polar3 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 8024344, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFB110N60P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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