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| Artikel-Nr.:
3794E-8061757 Herst.-Nr.:
J112 EAN/GTIN:
5059042479195 |
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| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = min. 5mA
Gate-Source Spannung max. = -35 V
Drain-Gate-Spannung max. = 35V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Drain-Source-Widerstand max. = 50 Ω
Montage-Typ = Durchsteckmontage
Gehäusegröße = TO-92
Pinanzahl = 3
Drain Gate Kapazität = 28pF
Source Gate Kapazität = 28pF
Abmessungen = 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Höhe = 5.33mm
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | min. 5mA | Gate-Source Spannung max.: | -35 V | Drain-Gate-Spannung max.: | 35V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 Ω | Montage-Typ: | Durchsteckmontage | Gehäusegröße: | TO-92 | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 28pF | Source Gate Kapazität: | 28pF | Abmessungen: | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | Höhe: | 5.33mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8061757, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, J112, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
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